基于ARM7核处理器VxWorks系统BSP设计

个与我们所用的处理器相同或相近。与BSP相关的文件有：romInit.s、sysAlib.s、bootInit.c、
　　
　　
　　
　　bootConfig.c、sysLib.c、config.h、configNet.h、makefile以及与我们硬件相关的，如串口sysSerial.c等。由于篇幅所限，具体的文件作用在此就不说了。下面主要根据S3C4510B来阐述一下BSP开发步骤。
　　
　　（1）拷贝BSP
　　
　　将wrSBCArm7BSP拷贝一份并命名为4510BSP，接下来的工作就是修改该目录下的文件，从而得到自己的BSP。
　　
　　（2）修改MakeFile文件
　　
　　修改4510BSP目录下的makefile文件，修改如下几行：
　　
　　TARGET_DIR=4510BSP#changedbycaiyang
　　
　　VENDOR=CAI#changedbycaiyang
　　
　　BOARD=MyArmBoard#changedbycaiyang
　　
　　ROM_TEXT_ADRS=01000000#ROMentryaddress
　　
　　ROM_WARM_ADRS=01000004#ROMwarmentryaddress
　　
　　ROM_SIZE=00080000#numberofbytesofROMspace
　　
　　RAM_LOW_ADRS=00006000#RAMtext/dataaddress(bootrom)
　　
　　RAM_HIGH_ADRS=00486000#RAMtext/dataaddress(bootrom)
　　
　　MACH_EXTRA=
　　
　　注解：ROM_TEXT_ADRS：BOOTROM的入口地址。对大多数板来说，这就是ROM地址区的首地址，然而也有的硬件配置使用ROM起始的一部分地址区作为复位向量，因此需要根据此设置偏移量作为它的地址。这个偏移量因CPU结构而定。
　　
　　ROM_WARM_ADRS：BOOTROM热启动入口地址。它通常位于固定的ROM_TEXT_ADRS＋4的地方。当需要热启动时，sysLib.c文件中sysToMonitor()函数代码明确的跳转到ROM_WARM_ADRS地址处开始执行。
　　
　　ROM_SIZE：ROM实际大小。
　　
　　RAM_LOW_ADRS：装载Vxworks的地址。
　　
　　RAM_HIGH_ADRS：将BootRomImage拷贝到RAM的目的地址。
　　
　　注意：RAM_LOW_ADRS和RAM_HIGH_ADRS都是绝对地址，通常位于DRAM起始地址的偏移量处，该偏移量取决于CPU结构，这需要参考VxWorks内存分布。对于ARM的内存分布请看图3，从图3可以看出RAM_LOW_ADRS在DRAM＋0x1000处。这些地址对于S3C4510B来说都应该是重映射后的地址。
　　
　　（3）修改config.h文件
　　
　　主要是修改ROM_BASE_ADRS、ROM_TEXT_ADRS、ROM_SIZE、RAM_LOW_ADRS、RAM_HIGH_ADRS和undef掉不需要的部分。注意这些应该和makefile文件中设置的一致。

《基于ARM7核处理器VxWorks系统BSP设计(第2页)》