利用F206片内Flash进行在线编程

在访问存储单元模式（只读）时，从数据总线上读到的是存储单元中的数据；工作在访问寄存器模式（读/写）时，从数据总线读到的是寄存器的状态信息。因此，如果将写Flash的程序和将写入数据放在同一块Flash上，则对Flash写操作时需要切换工作模式，从而导致取指令时取到的是状态信息，Flash写操作失败，所以不能将程序和数据放在同一块Flash存储器上。
　　
　　3F206进行Flash“在线”擦写的基本步骤
　　
　　（1）模式切换
　　
　　Flash的“在线”编程由清“0”、置“1”和数据写入等操作组成。进行这些操作前首先要将Flash由存储器工作模式（mode1）切换至于寄存器工作模式（mode0）。F206中Flash存储器工作模式由映射于I/O地址中的两个寄存器控制，分别为F_ACCESS0寄存器（FFE0h）和F_ACCESS1寄存器（FFE1h）。向Flash模式控制寄存器的最低位写入0，则Flash工作于寄存器模式；反之写入1，则工作于存储器模式。复位后，自动处于存储器模式。如图2所示，两种工作模式之间切换后，Flash内容变化。处于模式1时，Flash存储器显示的是其所存储的数据；处于模式0时，Flash存储器显示寄存器的内容，并且以4个为一组重复显示于整个Flash块中。
　　
　　F206的Flash存储器块中只有4个寄存器SEG_CTR、TST、WADRS、WDATA，其余都是重复显示相同的内容，其功能如下所述。
　　
　　*SEG_CTR：片段控制寄存器，其高8位（MSBS）用于选择相应片段。该位置“1”，则使能相应的片段，可以进行擦写。因此F206
　　
　　
　　
　　中16K×16的Flash块分为8个片段，每个片段2KB.低8位（LSBS）用来控制Flash块的擦除、写入、校验等操作，如图3所示（各个控制位的具体设置方法请查阅TI相关参考资料）。
　　
　　*TST：测试寄存器，通常不用。（保留，用于测试。）
　　
　　*WADRS：写地址寄存器，用于存储写操作地址。
　　
　　*WDATA：写数据寄存器，用于存放写操作数据。
　　
　　（2）清“0”操作
　　
　　清“0”操作按扇区进行，F206的Flash每一区的大小为32个字（WORD）。进行清“0”操作就是对Flash存储单元的非零位（即值为“1”）写入0，使各数据位的边缘保持一致；通常的做法是将Flash存储单元中的数据读出，与FFFFh进行异或（XOR）后，再写回Flash存储单元中。清“0”操作后，需调用VER0功能对Flash块进行0校验。
　　
　　（3）置“1”操作
　　
　　置“1”操作按扇区进行，对每个存储单元写入“1”；执行置“1”操作后需要调用VER1功能进行校验。置“1”操作后，Flash块存储单元的值均为FFFFh。如果置“1”正确，则可以进行下一步的数据写入数据。
　　
　　图3
　　
　　（4）数据写入
　　
　　数据只能写入已经置“1”的存储单元，对于同Flash存储单元只能写一入一次；如要改变存储单元中的内容，必须重新进行清“0”和置“1”的操作后才能写入新的数据。否则，会使存储单元中各个数据位的“边缘”不一致，从单元中读出的数据与写入的数据不一致。由于Flash擦除次数有限，因此不可能每次修改和定改数据时都进行擦除操作，而

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