一种实用的逆变桥功率开关管门极关断箝位电路

ＯＳＦＥＴ管ＭＣ１和ＭＣ２、ＭＣ１门极下拉电阻ＲＣ１和ＭＣ２门极上拉电阻ＲＣ２组成。实际上该电路是由ＭＯＳＦＥＴ构成的两级反相
　　
　　
　　
　　器。当ＭＣ１门极为高电平时，ＭＣ１导通，ＭＣ２因门极为低电平而关断，不影响功率开关管的正常导通；当ＭＣ１门极为低电平时，ＭＣ１关断，ＭＣ２因门极为高电平而饱和导通，从而在功率开关管的门极形成了一个极低阻抗的通路，将功率开关管的门极电压箝位在０Ｖ，基本上消除了上文中提到的电压尖刺。
　　
　　在使用这个电路时，要注意使ＭＣ２Ｄ、Ｓ与功率开关管Ｇ、Ｅ间的连线尽量短，以最大限度地降低功率开关管门极寄生电感和电阻。在电路板的排布上，ＭＣ２要尽量靠近功率开关管，而ＭＣ１、ＲＣ１和ＲＣ２却不必太靠近ＭＣ２，这样既可以发挥该电路的作用，也不至于给电路板的排布带来很大困难。
　　
　　用双极型晶体管(如８０５０)同样可以实现上述电路的功能。双极型晶体管是电流型驱动，其基极必须要串联电阻。为了加速其关断，同时防止其本身受到干扰，基极同样需要并联下拉电阻，这样就使电路更加复杂。同时，要维持双极型晶体管饱和导通，其基极就必须从电源抽取电流，在通常的应用场合这并无太大影响，但在自举驱动并且是ＳＰＷＭ的应用场合，这些抽流会大大加重自举电容的负担，容易使自举电容上的电压过低而影响电路的正常工作。因此选用ＭＯＳＦＥＴ来构成上述门极关断箝位电路。
　　
　　图５是在没有门极关断箝位电路的情况下，直流母线电压为１００Ｖ时Ｔ２门极信号的波形。可以看到在门极有一个电压尖刺，这个尖刺与门极脉冲的时间间隔刚好等于死区时间，由此可以证明它是在同一桥臂另一开关管开通时产生的。
　　
　　图６是在有门极关断箝位电路的情况下，直流母线电压为４００Ｖ时Ｔ２门极信号的波形。此时电压尖刺基本消除。
　　
　　通过实验验证，该电路确实可以抑制和消除干扰，有一定的使用价值，可以提高电路的可靠性。
　　
　　
　　
　

《一种实用的逆变桥功率开关管门极关断箝位电路(第2页)》