新型大容量闪存芯片－K9K2GXXU0M

ＣＥ：片选端?用于控制设备的选择。当设备忙时?ＣＥ为高电平而被忽略，此时设备不能回到备用状态。

ＲＥ：读使能端，用于控制数据的连续输出，并将数据送到Ｉ／Ｏ总线。只有在ＲＥ的下降沿时，输出数据才有效，同时，它还可以对内部数据地址进行累加。

ＷＥ：写使能控制端，用于控制Ｉ／Ｏ口的指令写入，同时，通过该端口可以在ＷＥ脉冲的上升沿将指令、地址和数据进行锁存。

ＷＰ：写保护端，通过ＷＰ端可在电源变换中进行写保护。当ＷＰ为低电平时，其内部高电平发生器将复位。

图3 编程操作时序图

    Ｒ／ Ｂ：就绪／忙输出，Ｒ／ Ｂ的输出能够显示设备的操作状态。Ｒ／ Ｂ处于低电平时，表示有编程、擦除或随机读操作正在进行。操作完成后，Ｒ／ Ｂ会自动返回高电平。由于该端是漏极开路输出，所以即使当芯片没有被选中或输出被禁止时，它也不会处于高阻态。

ＰＲＥ：通电读操作，用于控制通电时的自动读操作，ＰＲＥ端接到ＶＣＣ可实现通电自动读操作。

● ＶＣＣ：芯片电源端。

● ＶＳＳ：芯片接地端。

● ＮＣ：悬空。

３　Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的坏块

闪存同其它固体存储器一样都会产生坏块。坏块是包含一位或多位无效位的块。在Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ中坏块并不影响正常部分的工作，这是因为在Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ中，各块之间是隔离的。坏块均可以通过地址的布置系统找到，而在Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ中地址为００ｈ的第一块一定应当是正常的。坏块在大多数情况下也是可擦写的，并且一旦被擦掉就不可能恢复。因此，系统必须能根据坏块信息来识别坏块，并通过流程图建立坏块信息表，以防止坏块信息被擦除。

在闪存的使用中，可能会产生新的坏块，从而使正常工作出现一些错误。在擦除和编程操作后，如果出现读失败，应当进行块置换。块置换是由容量为一页的缓冲器来执行的，可以通过发现一个可擦的空块和重新对当前数据对象进行编程来复制块中的剩余部分。为了提高存储空间的使用效率，当由单个字节错误而引起的读或确认错误时，应由ＥＣＣ收回而不要进行任何块置换。

４ Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的工作状态

４．１ 按页读操作

Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的默认状态为读状态。读操作是以通过４个地址周期将００ｈ地址写到指令寄存器为开始指令，一旦该指令被锁存，就不能在下页中写入读操作了。

当地址变化时，随机读操作可以将选定页中的２１１２字节数据在２５μｓ内存入数据寄存器中。系统可以通过分析Ｒ／ Ｂ脚的输出来判断数据转移是否完成。而存入数据寄存器的数据可以很快地被读出，如一页的数据通过连续的ＲＥ脉冲可以在５０ｎｓ内读出。

可以通过写入随机数据输出指令来从一页中随机地输出数据。数据地址可以从将要输出的数据地址中通过随机输出指令自动找到下一个地址。随机数据输出操作可以多次使用。图２给出了读操作的时序图。

４．２ 页编程

Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的编程是按页进行的，但它在单页编程周期中支持多个部分页编程，而部分页的连续字节数为２１１２。写入页编程确认指令（１０ｈ）即可开始编程操作，但写入指令（１０ｈ）前还必须输入连续数据。

连续装载数据在写入连续数据输入指令（８０ｈ）后，将开始４个周期的地址输入和数据装载，而字却不同于编程的数据，它不需要装载。芯片支持在页中随机输入数据，并可根据随机数据输入指令（８５ｈ）自动变换地址。随机数据输入也可以多次使用。图３为其编程操作时序图。

４．３ 缓存编程

缓存编程是页编程的一种，可以由２１１２字节的数据寄存器执行，并只在一个块中有效。因为Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ有一页缓存，所以当数据寄存器被编入记忆单元中时它便可以执行连续数据输入。缓存编程只有在未完成的编程周期结束且数据寄存器从缓存中传数后才能开始。通过Ｒ／ Ｂ脚可以判断内部编程是否完成。如果系统只用Ｒ／ Ｂ来监