新型大容量闪存芯片－K9K2GXXU0M

该功能可以快速有效地改写一页中的数据而不需要访问外部存储器。因为消耗在连续访问和重新装载上的时间被缩短，因而系统的执行能力会提高。尤其当块的一部分被升级而剩下的部分需要复制到新的块中去时，它的优势就明显显示出来了。该操作是一个连续执行的读指令，但不用连续地到目的地址访问和复制程序。一个原始页地址指令为“３５ｈ＂的读操作，就可以把整个２１１２字节的数据转移到内部数据缓冲器中。当芯片返回就绪状态时，带有目的地址循环的页复制数据输入指令就会写入。而该操作中的错误程序会由“通过／失败”状态给出。但是，如果该操作的运行时间过长，将会由于数据丢失而引起位操作错误，从而导致外部错误“检查／纠正”设备检查失效。由于这个原因，该操作应使用两位错误纠正。图５给出了存储单元复录操作的时序图。

４．５ 块擦除

Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的擦除操作是以块为基础进行的。块地址装载将从一个块擦除指令开始，并在两个循环内完成。实际上，当地址线Ａ１２～Ａ１７悬空时，只有地址线Ａ１８～Ａ２８可用。装入擦除确认指令和块地址即可开始擦除。该操作必须按此顺序进行，以免存储器中的内容受到外部噪声的影响而出现擦除错误。图６为块擦除操作的时序图。

４．６ 读状态

Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ内的状态寄存器可以确认编程和擦除操作是否成功完成。在写入指令（７０ｈ）到指令寄存器后，读循环会把状态寄存器的内容在ＣＥ或ＲＥ的下降沿输出到Ｉ／Ｏ。而在新的指令到达前，指令寄存器将保持读状态，因此如果状态寄存器在一个随机读循环中处于读状态，那么在读循环开始前应给出一个读指令。

图5和图6

５　结束语

由于闪存具有非易失性、可电擦写、掉电后数据不丢失等特点，所以得到越来越广泛的应用。同时随着闪存使用的广泛，对它容量的要求也越来越高。而Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的出现则填补了大容量闪存芯片的空白。Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ除具有容量大的优点外，也可以在４００μｓ内完成一页２１１２ｂｙｔｅ的编程操作，并可在２ｍｓ内完成１２８ｋ ｂｙｔｅ的擦除操作，因此Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ是目前外部存储的领域的一种非常好的存储芯片。