新型大容量闪存芯片－K9K2GXXU0M

摘要：Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ是三星公司生产的大容量闪存芯片，它的单片容量可高达２５６Ｍ。文中主要介绍了Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的特性、管脚功能和操作指令，重点说明了Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ闪存的各种工作状态，并给出了它们的工作时序。

    关键词：闪存；Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ；大容量 Flash

闪存（ＦＬＡＳＨ ＭＥＭＯＲＹ闪烁存储器）是一种可以进行电擦写，并在掉电后信息不丢失的存储器，同时该存储器还具有不挥发、功耗低、(凹丫丫范文网fanwen.oyaya.net收集整理)擦写速度快等特点，因而可广泛应用于外部存储领域，如个人计算机和ＭＰ３、数码照相机等。但随着闪存应用的逐渐广泛，对闪存芯片容量的要求也越来越高，原来３２Ｍ、６４Ｍ的单片容量已经不能再满足人们的要求了。而 Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＸ０Ｍ的出现则恰好弥补了这一不足。Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＸ０Ｍ是三星公司开发的目前单片容量最大的闪存芯片，它的单片容量高达２５６Ｍ，同时还提供有８Ｍ额外容量。该闪存芯片是通过与非单元结构来增大容量的。芯片容量的提高并没有削弱Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＸ０Ｍ的功能，它可以在４００μｓ内完成一页２１１２个字节的编程操作，还可以在２ｍｓ内完成１２８ｋ 字节的擦除操作，同时数据区内的数据能以５０ｎｓ／ｂｙｔｅ的速度读出。

Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ大容量闪存芯片的Ｉ／Ｏ口既可以作为地址的输入端，也可以作为数据的输入／输出端，同时还可以作为指令的输入端。芯片上的写控制器能自动控制所有编程和擦除操作，包括提供必要的重复脉冲、内部确认和数据空间等。

１　Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的性能参数

Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的主要特点如下：

●采用３．３Ｖ电源；

●芯片内部的存储单元阵列为（２５６Ｍ＋８．１９２Ｍ）ｂｉｔ×８ｂｉｔ，数据寄存器和缓冲存储器均为（２ｋ＋６４）ｂｉｔ×８ｂｉｔ；

●具有指令／地址／数据复用的Ｉ／Ｏ口；

●在电源转换过程中，其编程和擦除指令均可暂停；

●由于采用可靠的ＣＭＯＳ移动门技术，使得芯片最大可实现１００ｋＢ编程／擦除循环，该技术可以保证数据保存１０年而不丢失。

表１所列是Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ闪存芯片的编程和擦除特性参数。表中的ｔＣＢＳＹ的最长时间取决于内部编程完成和数据存入之间的间隔。

表1 K9K2GXXU0M的编程和擦除特性

参    数 符 号 最  短 典  型 最  长 单  位 编程时间 tPROG 　 300 700 μs 缓存编程的虚拟忙时间 tCBSY 　 3 700 μs 在同一页中的局部编程循环 主列 NOP 　 　 4 周期 空列 　 　 4 周期 块擦除时间 tBERS 　 2 3 ms

２　Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ的管脚说明

Ｋ９Ｋ２ＧＸＸＵ０Ｍ有４８个引脚，其引脚排列如图１所示。具体功能如下：

Ｉ／Ｏ０～Ｉ／Ｏ７：数据输入输出口，Ｉ／Ｏ口常用于指令和地址的输入以及数据的输入／输出，其中数据在读的过程中输入。当芯片没有被选中或不能输出时，Ｉ／Ｏ口处于高阻态。

    ＣＬＥ：指令锁存端，用于激活指令到指令寄存器的路径，并在ＷＥ上升沿且ＣＬＥ为高电平时将指令锁存。

《新型大容量闪存芯片－K9K2GXXU0M》