Flash存储器在TMS320C3x系统中的应用

地址 数据 读/复位 1 XXXXH F0H 　 　 　 　 　 　 读/复位 4 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H F0H RA RD 算法选择 4 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H 90H RA RD 字节编程 4 5555H AAH 2AAAH 55H 5555H A0H PA PD

对于芯片擦除功能，自动地提供编程和电擦除之前，校验所有存储单元所需的电压和时序，然后自动擦除并校验单元界限。利用数据轮询（datapolling）特性，可以监视自动芯片擦除操作期间器件的状态，以检验操作是否完成。

程序如下：

int Chip_Erase()

{

(int)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*写芯片擦除命令部分*/

*（int *）0x00002AAA=0x55555555;

*(int *)0x00005555=0x80808080;

*(int)0x00005555=0xAAAAAAAA;

*(int *)0x00002AAA=0x55555555;

*(int *)0x00005555=0x10101010;

while((*int)0x00005555&0x80808080)!=0x80808080)/*数据轮询*/

对于区段擦除暂停，在区段擦除期间擦除暂停有效，数据值为B0H，不管地址值。区段擦除恢复，仅在擦除暂停之后擦除有效，数据值为30H，不管地址值。下面是简要的程序代码：

int Sector_Erase(sectadd)

int * sectadd;

{

(int)0x00005555=0xAAAAAAAA; /*写区段擦除命令部分*/

*（int *）0x00002AAA=0x55555555;

*(int *)0x00005555=0x80808080;

*(int *)0x00005555=0xAAAAAAAA;

*(int *)0x00002AAA=0x55555555;

*sectadd=0x30303030;

对于数据保护，此特性禁止在1～8个区段的任何组合进行编程和擦除操作。执行编程和擦除被保护区段的命令时，不改变区段内的数据。数据轮询位和跳转位工作在2～100μs，然后返回到有效数据。在地址引脚A9和控制引脚E，使用11.5～12.5V高电压VID，且在控制引脚E上使用VIL将使此特性起作用。其具体操作为：当W为VIH，E为VIL且地址引脚G为VID时，区段保护方式被激活，地址引脚A18、A17、A16用来选择被保护的区段。一旦地址稳定，W处于脉冲低电平，操作开始于W的下降沿。

2 在TMS320C3x中的应用

TMS320C3x支持32位或16位宽度的程序外部存储器。由于Am209F040的数据宽度是8位，而从RAM单元中取出的数据宽度为32位，所以还要采用移位的方法写入Am29F040。

《Flash存储器在TMS320C3x系统中的应用(第2页)》