按G.723标准设计的数字录音系统

NOP;

NOP

AX0=DM(0x3fe5);

AR=AX0 OR 0X0001; {2181-PF0 SET}

DM(0x3fe5)=AR; {ready to program}

ax0=0x82f9; {写控制寄存器CRC，5V电源，使能ADC和DAC}

tx0=ax0;

IDLE;

ax0=0x811b; {写控制寄存器CRB，分频，设置8K采样率}

tx0=ax0;

IDLE;

ax0=0x8320; {写控制寄存器CRD，输出输入增益为0}

tx0=ax0;

IDLE;

ax0=0x8400; {写控制寄存器CRE,DAC延迟量为0}

ax0=ax0;

IDLE;

ax0=0x8001; {写控制寄存器CRA，进入数据传输模式}

tx0=ax0;

IDLE；

2.2 闪速存储器与ADSP-2181的接口电路

闪速存储器采用韩国三星公司生产的KM29 N32000，容量为4M×8=32Mbit，分成512块，每块有16页，每页528个字节。可进行100万次擦写，数据保存时间为10年，通过编程可自动进行擦写。这里用于保存录音数据，其数据保存不需要充电维持。

    从理论上说，如果采用G.723标准算法，在8kHz的采样率下，采用5.3kb/s的码率，录音时间最大值约为100分钟；在6.3kb/s码率下最大录音时间约为83分钟，比常用的录音磁带略长，可以满足般的录音要求。如果采用KM29V64000(8M×8=64M bit)，录音时间可增加一倍。如果需要更长的录音时间，可选择容量更大的闪速存储器。有关KM29N3200的详细特性见参考文献[4]。

KM29N32000与ADSP-2181的接口电路如图4所示，它的读写及擦除操作说明如下：

（1）读操作

首先让CLE置高，进入命令模式。此时ALE置低，从I/O口输入00H（表示读操作控制命令字），接下来CLE置低，ALE置高，进入地址加载模式，将要访问的24位地址（A0～A23）分三次由低到高从I/O口磅入。适当延迟后，将ALE置低，就可连续地进行读操作，每次读取一帧数据。得到的数据是加载地址开始的。整个过程CE必须保持低电平。

(2)写操作

写操作过程与读操作类似，开始控制命令字是80H，将加载地十分三次送入后，适当延迟，就可连续地向闪速存储器写入一帧数据。数据写完时，CLE置高，送入10H命令字，进行写操作。

(3)擦除操作

保存数据时，如果对应存储区已经有数据，就必须先擦除掉原来数据。每次擦除一次，每块8K字节。

首先输入控制命