内嵌闪存MCU的高性能多通道24位采集系统ADuC845
OF1L/H:用于存放辅助通道偏移校准系数;
GN0L/M/H:用于存放主通道增益校准系数。
GN1LH:用于存放辅助通道增益校准系数。
4.2 ADuC845中的存储器
ADuC845为设计者提供了2个闪速/电擦除存储器阵列,即片内62kB闪速/电擦除程序存储器和片内4kB闪速/电擦除数据存储器,并具有256B通用RAM及2kB内部XRAM。
a.闪速/电擦除程序存储器
ADuC845包含一个64k字节闪速/电擦除程序存储器。其中低62k字节供用户使用,可用作程序存储器或附加NV数据存储器。高2k字节包含一个水久嵌入的固件,允许在线串行下载、串行调试和非嵌入性单引脚竞争。此固件也包含一个上电配置程序,该程序将工厂标准系数下载到各种标准外设内,如ADC、温度传感器、电流源等。这2k字节的固件隐藏在用户代码中,若对此空间进行读操作的结果为0,则用户代码出现NOP指令。在上电或硬件复位过程中,当EA引脚接至高电平时,存储器默认从内部62kB的内速/电擦除程序空间都代码的执行变得容易,无需任何外部分离的ROM器件。程序存储器可使用串行下载模式、常规的第三方提供的存储器编程器或用户在用户下载模式中定义的协议进行在线编程。正常模式下,可用两种方式编程,即:
(1)串行下载(在线编程)
ADuC845可方便地通过标准UART串行口下载程序代码。如果PSEN引脚通过外部1kΩ下拉电阻被拉至低电平,则在复位和上电后,ADuC845可进入串行下载模式。一旦处于此模式,隐藏的嵌入式下载内核开始工作,用户可以把代码下载到程序存储器,同时器件仍位于其目标应用硬件中。PC串行下载的可执行程序是作为ADuC845 QiuckStart开发系统的一部分提供的。
(2)并行编程
并行编程模式与常规的第三方闪速或EEPROM器件编程完全兼容。在此模式下,P0和P2口用作外部地址总线接口,P3口用作外部数据总线接口。P1.0用作写使能选通,P1.1~P1.4端口用作通用配置口,在并行编程期间,它可伙各种编程和擦除操作进行配置。
ADuC845具有片内加密特性,可提供三种安全模式。这些模式可被独立激活,以防止程序存储空间被自由读取。三种安全模式如下:
*加锁模式
该模式可锁存代码存储器,禁止程序存储器的并行编程,但允许在并行模式下下对此存储器进行读操作,或者通过外部存储器的MOVC命令对其进行读操作。在串行下载或并行编程模式下,通过启动“擦除代码及数据”命令使此模式无效。
*加密模式
该模式能锁存代码存储器,禁止程序存储器的并行编程,且不允许在并行模式下读/校验程序存储器或通过外部存储器的MOVC命令对内部存储器进行读操作。在串行下载或并行编程模式下,通过启动“擦除代码及数据”命令可使此模式无效。
*串行安全模式
该模式禁止串行下载代码。如果串行安全模式被激活,且试图将存储器在PSEN引脚为低电平时复位到串行下载模式,则存储器将此复位仅看作正常复位,因此,它将不会进入串行下载模式,而仅执行一个正常复位程序。在并行编程模式下,使用“擦除代码和数据”命令时,此模式无效。
b.闪速/电擦除数据存储器
闪速/电擦除数据存储器容量为4kB,它被配置为1024页,每页4个字节。它和其它外围设备一样,可通过是映射到SFR空间的寄存器组与此存储器空间相接。4个数据寄存器组(EDATA1~EDATA4)用于保存4B页数据。页寻址是通过EADRH和EADRL两个寄存器实现的。ECON是一个8位控制寄存器,这可写入9个闪速/电擦除存储器访问命令之一,以使能各种读、写、擦除和校验模式。
此存储器可用作通用非易
失性缓存区,分别是高128RAM和低128B RAM。低128B RAM可通过直接或间接寻址访问,而高128B RAM只能通过间接寻址访问,原因在于它与只能通过直接寻址访问的SFR共用同一地址空间。内部数据存储器的低128字节映射中,最 《内嵌闪存MCU的高性能多通道24位采集系统ADuC845(第5页)》