新型反激变换器准谐振控制器ICE1QS01及其应用电路与设计

Pin(max)选择的变压器提供的数据中查得。
　　
　　每匝次级电压Vts为
　　
　　Vts=[Vd(max)-Vdc(max)]/NpFos（6）
　　
　　MOSFET的最大漏极电流Id(max)为
　　
　　
　　
　　MOSFET最大导通时间ton(max)和最大截止时间toff(max)分别可用式（8）和式（9）计算。
　　
　　
　　
　　SMPS最低自由振荡（freerunnign）频率为
　　
　　
　　
　　如果SMPS最低频率fmin<20kHz，即进入可闻音频范围，应根据式（5）重新计算，Bmax取一个较低的值。
　　
　　2.2.2ICE1QS01各引脚外部主要元件的选择考虑
　　
　　对于图3所示的应用电路，IC1（ICE1QS01）各引脚外部主要元件的选取依据如下。
　　
　　1）IC1脚2（PCS）上的电阻R22与电容C22
　　
　　当流入脚2的电流低于100μA时，内部主线欠压保护电路启动。在电容C07上的最低DC电压VDC(min)根据式（2）取114V，于是R22=1.14MΩ，可取1MΩ标准电阻。
　　
　　当R22选定之后，电容C22可根据式（11）计算。
　　
　　C22=VDC(min)ton(max)/(R22×3.5V)（11）
　　
　　2）脚3（RZ1）外部电阻R38，R29与电容C29
　　
　　R38的计算公式为
　　
　　R38=VDC(min)Nr/(Np×0.5mA)（12）
　　
　　式中：Nr为变压器（T1）调节绕组匝数。
　　
　　当选取VDC(min)=114V，Nr=7匝和Np=
　　
　　28匝时，R38=57kΩ，可?取56kΩ标准电阻。
　　
　　R29与R38组成调整绕组感应电压的分压器。调整绕组感应电压（正值）为15V，考虑到初级和次级调节，R29可根据式（13）和式（14）确定。
　　
　　R29=R38/〔(15V/5V)－1〕（13）
　　
　　R29=R38/〔(15V/4V)－1〕（14）
　　
　　在R38=56kΩ下，R29取值范围为20～28kΩ。
　　
　　电容C29的计算公式为
　　
　　C29=1000ns/R38（15）
　　
　　据此，C29可选择22PF的陶瓷电容器。适当选择C29可在脚3得到令人满意的电压波形，保证MOSFET在最小的漏极电压上导通。
　　
　　3）脚4（SRC）上接地电容C28
　　
　　接电容影响调整尤其是初级调整的速度，但不影响软启动速度（原因是内部数字软启动电路被激活）。C28通常选取1．5～10nF的容值。
　　
　　4）脚7（OUT）外部MOSFET栅极电阻R35
　　
　　选择R35=33～100Ω，在MOSFET功率耗散与射频噪声（EMI）之间提供较理想的折衷方案。
　　
　　5）脚8（VCC）外部阻容元件
　　
　　电容C26容量选取33μF（25V）即可。若C26过大，启动时间过长，并且突发频率较低。
　　
　　C27充当射频滤波电容，可选取C27=100nF。
　　

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