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新型IGBT/MOSFET驱动模块SKHI22A/B

电阻一般应在３～２２Ω之间，实际应用时，该电阻的发热比较严重，因此建议使用２Ｗ的电阻。管脚Ｓ１３、Ｓ８外接ＩＧＢＴ的栅极导通电阻ＲＯＦＦ，其使用方法和ＲＯＮ一样。管脚Ｓ２０、Ｓ１分别连接检测上、下开关管的漏极。对于１７００Ｖ的ＩＧＢＴ，通常应该串接１ｋΩ／０．４Ｗ的电阻。



《新型IGBT/MOSFET驱动模块SKHI22A/B(第3页)》
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