高性能FLASH存储器在DSP电机智能保护中的应用

处于正确状态，当CE或WE不是低电平或OE不是高电平时，编程操作将被禁止。

由于在32位浮点芯片TMS320C32进行硬件连接时，采用的是4片数据宽度为8位的Flash来作为一片数据宽度为32位的Flash使用，所以在实际的总线操作过程中，向对应地址写入的数据应为8位16进制数据。例如芯片复位操作时，写入某一地址的数据应该是0xF0F0F0，而不应是单片时写入的0xF0。其软件命令序列可同时参见表1。

表1 Am29F010B编程命令序列表

命令序列 Flash复位 扇区擦除 整片擦除 Flash烧录 总线写周期1 地址 5555H 5555H 5555H 5555H 数据 0AAAAAAAAH 0AAAAAAAAH 0AAAAAAAAH 0AAAAAAAAH 总线写周期2 地址 2AAAH 2AAAH 2AAAH 2AAAH 数据 55555555H 55555555H 55555555H 55555555H 总线写周期3 地址 xxxx 5555H 5555H 5555H 数据 0F0F0F0F0H 80808080H 80808080H 0A0A0A0A0H 总线写周期4 地址 　 5555H 5555H 　 数据 　 0AAAAAAAAH 0AAAAAAAAH 　 总线写周期5 地址 　 2AAAH 2AAAH 　 数据 　 55555555H 55555555H 　 总线官周期6 地址 　 SA 5555H 　 数据 　 30303030H 10101010H 　

在Am29F010B擦除及编程操作中使用检测机制可确保操作的正确性和有效性。其核心代码如下：

flash_rase：

……

check_rase:LDI *AR0,R0

NOP

NOP

XOR *AR2,R0

BNZ check_rase

……

RETS

flash_prog:

……

check_prog:LDI * -AR1,R0

NOP

NOP

XOR *-AR1,R0

BNZ check_prog

……

RETS

在将数据或程序烧写到Am29F010B时，应先单步执行烧写程序，同时应观察烧写程序执行过程中有无异常。笔者曾遇到过的FLASH的操作指令代码执行后变成.word XXH的情形，后来经检查发现是由于芯片Am29F010B的地址线引脚再现虚焊所致；另一方面，还要观察在仿真开发环境的存储区查看窗口，以观察FLASH内相应单元内容的变化有否异常

《高性能FLASH存储器在DSP电机智能保护中的应用(第3页)》