串行FLASH SSF1101在单片机

平一致时，命令才会被器件接受 11 TM I 测试引脚，正常使用时接地 12 CS I 片选，低有效，命令输入后应重新置为高电平 13 SCK I 串行输入数据时钟 14 SI I 数据输入，命令和数据都由此脚串行输入 15 SO O/Z 串行数据输出，三态 16～32 NC Z 空脚

３　工作原理

ＳＳＦ１１０１具有４１９４３０４位主存储单元，分成５１２页面、每页面１０２４个字节。此外ＳＳＦ１１０１还包含有２个ＳＲＡＭ缓冲器，每个缓冲器有１０２４个字节，当主存储器内的１页正被编程时，缓冲器照样能接收输入数据。ＳＳＦ１１０１使用ＳＰＩ串口访问它的数据，因而硬件设计十分方便，系统可靠性很强，并可把开关噪声降到最低。该芯片在编程期间，不需要高电压，而编程电压仍为电源电压。 图２所示是ＳＳＦ１１０１存储器的内部结构框图。

ＳＳＦ１１０１通过简单的ＳＰＩ串行口进行数据存取，器件的操作由主机发出的指令控制，一个有效指令包括一字节４位操作码、４位器件地址以及目的缓冲器或主储器地址位置。当ＣＳ为０时，主机向器件ＳＣＫ端发送时钟信号，以引导操作码和地址从ＳＩ端写入到器件中。所有指令地址和数据都是先送高位。ＳＳＦ１１０１的操作命令如表２所列。表中的Ｘ可取任意值，它对器件操作没有影响。

表2 SSF1101操作命令表

操     作 命  令 器件地址 页面地址 缓冲区地址 读缓冲区1 1110 dddd XXXXXXXXXXXX BA11-BA0 读缓冲区2 1111 dddd XXXXXXXXXXXX BA11-BA0 写缓冲区1 0110 dddd XXXXXXXXXXXX BA11-BA0 写缓冲区2 0111 dddd XXXXXXXXXXXX BA11-BA0 使用内建擦除周期的从缓冲区1到闪存传送 1010 dddd PA11-PA0 XXXXXXXXXXXX 使用内建擦除周期的从缓冲区2到闪存传送 1011 dddd PA11-PA0 XXXXXXXXXXXX 不使用内建擦除周期的从缓冲区1到闪存传 0010 dddd PA11-PA0 XXXXXXXXXXXX 不使用内建擦除周期的从缓冲2到内存传送 0011 dddd PA11-PA10 XXXXXXXXXXXX 闪存到缓冲区1的传送 1100 dddd PA11-PA0 XXXXXXXXXXXX 闪存到缓冲区2的传送 1101 dddd PA11-PA0 XXXXXXXXXXXX 比较闪存页面和缓冲区1 0100 dddd PA11-PA0 BA11-BA0 比较闪存页面和缓冲区2 0101 dddd PA11-PA0 BA11-BA0 闪存直接读 0001 dddd PA11-PA0 BA11-BA0 状态寄存器读 0000 dddd XXXXXXXXXXXX XXXXXXXXXXXX 片擦除 1001 dddd XXXXXXXXXXXX XXXXXXXXXXXX

３．１ 状态寄存器（ＳＲ）

ＳＳＦ１１０１具有一个８ｂｉｔ的状态寄存器，可用于指示器件的工作状态。该寄存器可通过“状态寄存器读”命令读出寄存器中的内容。寄存器内容及定义如下：

《串行FLASH SSF1101在单片机(第2页)》