大容量Flash型AT91系列ARM核微控制器

为4GB。存储控制器对内部的32位地址总线进行译码并定义了3种地址空间：
　　
　　◇位于最低4MB的内部存储器空间；
　　
　　◇中间的地址空间为EBI控制的外部设备（存储器或外围）所保留；
　　
　　◇位于最高4MB的内部外围空间。
　　
　　不论在哪一个地址空间，ARM7TDMI只运行于小端模式。
　　
　　◇内部存储器
　　
　　AT91FR40162微控制器集成了内部SRAM。所有的内部存储器都是32位宽，并且支持字节（8位）、半字（16位）和字（32位）访问，且这些访问都是单周期的。内部SRAM支持Thumb和ARM两种取指方式，并且内部存储器可以存储比ARM指令多1倍的Thumb指令。AT91FR40162微控制器集成了1个256KB的SRAM存储体。这个存储体映射到地址0x0（重映射命令后），并且允许通过软件修改0x0到0x20之间的ARM7TDMI异常向量。把SRAM放置在片内并使用32位的数据总线带宽增加了微控制器的性能，降低了系统功耗。32位总线与16位相比带宽增加，从而提高了使用ARM指令集和数据处理的效率，这是对ARM7TDMI先进性能的最佳使用。能够在256KB的SRAM中动态地更新应用软件是AT91FR40162的另一特性。
　　
　　◇引导模式选择
　　
　　ARM复位向量在地址0x0。NRST口线被释放后，ARM7TDMI执行存储于这个地址的指令。这就意味着复位之后这个地址必须映射到非易失的存储器中。NRST上升沿之前的10个时钟周期期间BMS引脚上的输入用来选择引导存储器的类型，如表1所列。如果嵌入的Flash存储器用作引导存储器，BMS输入必须被外部拉低，并且NCS0必须在外部与NCS7连接。
　　
　　表1引导模式选择
　　
　　BMS引导存储器1NCS0上的外部8位存储器0NCS0上的外部16位寄存器
　　引脚BMS与I/O线P24复用。复位以后，P24可以与任何标准的PIO线一样被编程。
　　
　　◇Flash存储器
　　
　　16Mbit的Flash存储器由1048576个16位字组成。Flash存储器通过EBI进行16位字寻址。它使用地址线A1~A20。
　　
　　除了Flash存储器使能信号以外，所有的地址、数据和控制信号都是内部互连的。用户应当把Flash存储器使能信号（NCSF）和1个EBI上低电平有效的片选信号相连接。如果Flash存储器作为引导存储器使用，那么必须使用NCS0；同时BMS必须被外部拉低，以使处理器在复位后可以执行正确的16位取指操作。
　　
　　引导时，必须为EBI配置正确的标准等待状态数目。例如，当微控制器运行于66Hz时，需要5个标准等待状态。
　　
　　用户必须确保所有的VDDIO、VDDCORE和所有的GND引脚通过最短的路线连接到各自的电源。Flash存储器在读模式下加电。命令序列用于将此器件置于其它的操作模式下，例如编程和擦除。
　　
　　为了增加灵活性而提供的分离的Flash存储器复位输入引脚（NRSTF），使能复位操作以适应具体应用。当这个输入为逻辑高电平时，存储器处于它的标准操作模式；当这个输入为逻辑低电平时，暂停当前的存储器操作并使它的输出置于高阻状态。
　　
　　Flash存储器的一个特性是它采用数据查询来检测一个编程周期的结束。当处于编程周期时

《大容量Flash型AT91系列ARM核微控制器(第4页)》