AT93C46/56/55串行EEPROM及单片机程序

２　指令及时序

ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６的指令如表１所列，各指令的具体含义如下：

（１）擦／写允许指令（ＥＷＥＮ）

由于在上电复位后?ＡＴ９３Ｃ４６／５６／６６首先将处于擦／写不允许状态。故该指令必须在所有编程模式前执行，一旦该指令执行后，只要外部没有断电就可以对芯片进行编程。

（２）地址擦指令（ＥＲＡＳＥ）

该指令用于强迫指定地址中所有数据位都为“１”。一旦信息在ＤＩ端上被译码，就需使ＣＳ信号保持至少２５０ｎｓ的低电平，然后将ＣＳ置为高电平，这时，ＤＯ端就会指示“忙”标志。ＤＯ为“０”，表示编程正在进行；ＤＯ为“１”，表示该指定地址的寄存器单元已擦完，可以执行下一条指令。

（３）地址写指令（ＷＲＩＴＥ）

写指令时，先写地址，然后将１６位的?或８位?数据写入到指定地址中。当ＤＩ端输出最后一个数据位后，在ＣＬＫ时钟的下一个上升沿以前，ＣＳ必须为低，且需至少保持２５０ｎｓ，然后将ＣＳ置为高电平。需要说明的是：写周期时，每写一个字节需耗时４ｍｓ。

（４）地址读指令（ＲＥＡＤ）

读指令用于从指定的单元中把数据从高位到低位输出至ＤＯ端，但逻辑“０”位先于数据位输出。读指令在ＣＬＫ的上升沿触发，且需经过一段时间方可稳定。为防止出错，建议在读指令结束后，再输出２～３个ＣＬＫ脉冲。

（５）芯片擦指令（ＥＲＡＬ）

该指令可将整个存贮器阵列置为１，其它功能与地址擦指令相同。

（６）芯片写指令?ＷＲＡＬ?

该指令可将命令中指定的数据写入整个存贮器阵列，其它功能与地址写指令相同。该指令周期所花费时间的最大值为３０ｍｓ。

（７）擦／写禁止指令（ＥＷＤＳ）

使用该指令可对写入的数据进行保护，操作步骤与擦／写允许指令相同。

３　ＡＴ９３Ｃ５６的应用

３．１ ＡＴ９３Ｃ５６与８０Ｃ１９６ＫＢ的连接

串行ＥＥＰＲＯＭ芯片ＡＴ９３Ｃ５６同８０Ｃ１９６单片机接口的硬件电路连接方法如图２所示。图中，由于ＭＣＳ－９６系列１６位单片机的Ｐ１口为准双向口，因此，为了防止数据错位，在向其Ｐ１口写数据时，必须先将Ｐ１口置“１”。

３．２ 软件编程

该读／写程序采用ＰＬ／Ｍ语言编写，由于ＰＬ／Ｍ语言介于高级语言与汇编语言之间，故其对数据、地址位的处理比较繁琐。其中ＡＤＤＲ为指定的地址单元，ＤＡＴＡ为写入的数据，在写数据、地址时均从高位开始。本程序已在仿真器上调试通过。且已被应用于电量测试仪中（如接触电阻测试仪）。

ＤＥＣＬＡＲＥ ＳＥＴＣＳ ＬＩＴＥＲＡＬＬＹ ‘ＣＡＬＬ ＢＩＴＳＥＴ?． ＩＯ-ＰＯＲＴ２，０?′；

ＤＥＣＬＡＲＥ ＣＬＲＣＳ ＬＩＴＥＲＡＬＬＹ ‘ＣＡＬＬ ＢＩＴＣＬＲ?． ＩＯＰＯＲＴ２，０?′；

ＤＥＣＬＡＲＥ ＳＥＴＣＬＫ ＬＩＴＥＲＡＬＬＹ ‘ＣＡＬＬ ＢＩＴＳＥＴ?． ＩＯＰＯＲＴ２，５?′；

ＤＥＣＬＡＲＥ ＣＬＲＣＬＫ ＬＩＴＥＲＡＬＬＹ ‘ＣＡＬＬ ＢＩＴＣＬＲ?． ＩＯＰＯＲＴ２，５?′；

ＤＥＣＬＡＲＥ ＳＥＴＤＩ ＬＩＴＥＲＡＬＬＹ ‘ＣＡＬＬ ＢＩＴＳＥＴ?． ＩＯ-ＰＯ