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可读/写射频卡芯片e5550及其应用


●在密码保护模式下进行密码验证。

    (3) 位速率发生器

由于e5550有多种数据传送速率可供用户选择,因此,通过位速率发生器可按照用户设定的数据传送速率来产生相应的时钟信号。

(4)写译码器

对e5550的写操作是靠严格控制磁场间隙的时间来完成的,数据“0”和“1”对应着不同的磁场宽度。该回路主要用于从带有间隙的磁场中检出真实数据流。

(5)模式寄存器

模式寄存器是一个32位RAM,主要用于存储从EEPROM的“0”数据块读出的用户模式设置数据,每次上电后或程序复位后将自动执行一次调用操作。

(6)调制器

调制器用于对基站传送的数据进行调制,调制方式可由用户在曼彻斯特编码、二进制编码和双相位码中选择,考虑到基站解码的方便,一般选择曼彻斯特编码方式。

    2.2 e5550的存储器

e5550内部的非易失性存储器共有264位,分8个数据块,每个数据块由1个锁定位(L)和32位数据位构成,其结构如图3所示。

每个数据块的第0位为该数据块的锁定位,一旦对应数据块的该位被置为“1”,则该数据块将不能再被重新编程,这一点用户是必须加以注意的,除非该块的数据为永久密码或身份识别码等不需要改变的数据,否则不要将L位置为“1”。数据块7一般用于存储32位用户密码,故在密码保护模式下对芯片的读/写操作均需进行密码匹配识别。数据块0用于设置芯片的工作模式,一般情况下。当工作模式确定后,为了防止意外的更改,最好将该数据块锁定。

2.3 e5550的工作模式设置

e5550的工作模式由EEPROM数据块0的12~32位决定,图4所示为具体格式,具体含义见表2。

表2 e5550工作模式设置描述

功    能 功   能   描   述 传送速率设置RF2~RF0 RF2RF1RF0=000:RF/8速率 RF2RF1RF0=001:RF/16速率 RF2RF1RF0=010:RF/32速率 RF2RF1RF0=011:RF/40速率 RF2RF1RF0=100:RF/50速率 RF2RF1RF0=101:RF/64速率 RF2RF1RF0=110:RF/100速率 RF2RF1RF0=111:RF/128速率 编码方式设置MS11~MS10 MS11MS10=00:二进制编码 MS11MS10=01:曼彻斯特编码 MS11MS10=10:双相位码 MS11MS10=11:保留 频移键幅移键控方式设置MS22~MS20 MS22MS21MS20=000:二进制 MS22MS21MS20=001:PSK1 MS22MS21MS20=010:PSK2 MS22MS21MS20=011:PSK3 MS22MS21MS20=100:FSK1 MS22MS21MS20=101:FSK2 MS22MS21MS20=1

《可读/写射频卡芯片e5550及其应用(第2页)》
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