并行接口铁电存储器FM1808及其应用

部结构有所了解，则在使用时就可根据其结构特点合理使用存储单元以延长其读写寿命。

３．１ 存储器的结构与读写寿命

ＦＲＡＭ可提供比其它非易失性存储器高得多的写持久性，然而在一定程度上，存储器访问次数的增加会造成ＦＲＡＭ操作出错概率的增加，即写入存储器的数据会丢失，而存储器的内容却仍然可被正常读出，当然上述现象只有在存储器读写次数达到１００亿次之后才会出现，因此，为了延长存储器的读写寿命，可以根据数据读写的频繁程度，将数据保存在不同的区域中以进行读写操作，例如对一些关键的数据如系统配置参数等，可以放在一个访问次数较少的区域中，而将变化频繁的数据或不需要长久保存的数据放在单独的区域中，这样既可保证系统关键数据存储的安全性，又可保证非安全区存储器的实际擦写次数大于１００亿次，从而延长铁电存储器的实际使用寿命。

铁电存储器的特殊性在于每一次的读操作都会破坏原有的数据，因此必须在完成读操作后再执行一个回写过程，这样，每执行一次读操作，同样会减少一次读写寿命，为了最大限度地增加存储器的使用寿命，同时又不妨碍用户使用的灵活性，ＦＭ１８０８通常使用独特存储器组织。

ＦＭ１８０８的内部结构框图如图２所示。图中，ＦＭ１８０８的３２ｋｂｙｔｅ存储器阵列被划分为３２块，每块是１ｋ×８，该１ｋ×８的每个块包括２５６行和４列，地址线Ａ０～Ａ７对行选择译码，Ａ８～Ａ９对列选择译码，由于每访问一行都将减少一次寿命，因此，采用此种排列方案可很容易地在一个块内均匀进行周期读写，例如２５６个字节的数据无须两次访问同一行即可被顺序访问，而一个完整的１ｋ×８被读或写仅需４个周期，图３给出了ＦＭ１８０８中一个１ｋ×８存储器块的结构图（存储器块４）。

ＦＭ１８０８使用Ａ１０～Ａ１４高位地址线来选择３２个不同的存储器块，由于存储器每行不能超过块的界限，因此读写操作频率不同的数据应放在不同的块中。

３．２ 读操作

ＦＭ１８０８的功能真值表如表２所示。

表2 FM1808功能真值表

CE OE WE 方  式

功    能

1 X X 非选 芯片未选中 1 1 1 写 DQ～07的内容写入40A～14地址单元 0 1 0 读 将A0～A14地址单元内容输出到DQ～07 ↓ X X 锁存 CE的下降沿锁定地址数据

读操作一般在ＣＥ下降沿开始，这时地址位被锁存，存储器读周期开始，一旦开始，应使ＣＥ保持不变，一个完整的存储器周期可在内部完成，在访问时间结束后，总线上的数据变为有效。

当地址被锁存后，地址值可在满足保持时间参数的基础上发生改变，这一点不象ＳＲＡＭ，地址被锁存后改变地址值不会影响存储器的操作。

３．３ 写操作

ＦＭ１８０８写与读通常发生在同一时间间隔，ＦＭ１８０８的写操作由ＣＥ和ＷＥ控制，地址均在ＣＥ的下降沿锁存。ＣＥ控制写操作时，ＷＥ在开始写周期之前置０，即当ＣＥ有效时，ＷＥ应先为低电平。ＦＲＡＭ没有写延时，读与写访问时间是一致的，整个存储器操作一般在一个总线周期出现。因此，任何操作都能在一个写操作后立即进行，而不象Ｅ２ＰＲＯＭ需要通过判断来确定写操作是否完成。

３．４ 充电操作

预充电操作是准备一次新访问存储器的一个内部条

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