铁电存储器原理及应用比较

51接口电路如图4所示。这里使用8051的ALE信号和由地址产生CE的片选信号相“或”来产生CE的正跳变。2片32K×8的FRAM存储器，A15与ALE通过74FC32相“或”作为U2的片选，取反后作为U3的片选。所以，U2的地址为0～7FFFH，U3的地址为8000H～FFFFH。8051的RD信号与PSEN信号相“与”后作为U3的输出允许，所以U3作为程序或数据存储器使用。当J1跳接块在右边时，U2与U3用法相同；而J1跳接在左边时，U2仅作为程序存储器。要保证代码不会意外地被改写，仅需断开J2即可。

需要注意的是，由于逻辑门电路都有6～8ns的延时时间，在主频较高时对应使用快速型逻辑芯片（F系列）。

结语

FRAM产品为我们提供了可使用的存储器的一种新选择，在原来使用E2PROM的应用中表现会更出色，为某些原来认为需要使用SRAM的E2PROM的应用系统找到一种新的途径。但是由于最大访问次数的限制，要成为理想的通用存储器，FRAM还有很长的路要走。

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