TEA1504开关电源低功耗控制IC

TEA1504使用独特的电压反馈结构。它的初级电压反馈信号通过RDEM从DEM端（pin13）输入，采样与保持电路通过流入DEM端的采样电流来工作，采样电流的大小与RDEM上的电压有关。次级采样电流的大小被储存在CTRL脚的外接电容CCTRL上，并由它给PWM调制器设定驱动脉冲的占空比。在次级反馈电路中，反馈电压一般通过光耦合器提供。

PWM单元由一个反相误差放大器和比较器组成，它输出的PWM波的占空比与CTR端（pin9）的控制电压成反比。来自振荡器的信号通过触发器送到功率MOSFET的驱动级可使MOSFET管开通，而来自脉宽调制器的信号或占空比限制电路信号，则可使MOSFET关断。当PWM输出波形不稳时，触发器将停止输出PWM波形。PWM波形的最大占空比为80%。

在脉宽调制电路中，将振荡器输出的锯齿波电压与误差放大器的输出进行比较，可调整PWM波形的占空比。振荡器被全部集成在IC内，通过内部电容的充、放电产生锯齿波，锯齿波的斜坡段占整个振荡周期的80％，所以IC输出波形的最大占空比为80％。改变外部参考电阻RREF的电阻值（RREF可在16.9kΩ～33.2kΩ之间选择）可使振荡频率在50～100kHz之间改变。IC内部有一个频率控制单元，它能根据输出负载的轻重自动使振荡器工作于低频或高频状态。当开关电源的输出功率小于最大输出功率的1/9时，TEA1504将转换到低频工作模式，低频与高频工作模式的频率比为1:2.5。低频工作可减小开关电源的开关损耗，而且在转换时不会影响到输出电压的调节。

TEA1504输出的驱动脉冲正向电流可达120mA，反向脉冲电流可达550mA。它允许快速开通和关断功率MOSFET管。选择较低的正向脉冲，是为了限制MOSFET管开通时的dV/dt(电压上升率)，以降低电路的电磁干扰（EMI），同时减少通过电阻Rsense的电流峰值。

2.3 TEA1504的保护功能

TEA1504的保护功能主要有过电流保护（OCP）、过电压保护（OVP）、140℃超温保护和磁饱和保护等。其中磁饱和保护是为了确保能提供间断性的电源输出、简化反馈控制电路的设计以及提供较快的暂态响应，从而防止变压器和电感元件在启动时出现磁饱和或储能元件在释放能量时承受的应力过大。另外，当开关电源的输出处在短路状态时，磁饱和保护还能对开关电源提供逐周电流保护。

图3 开/关模式下的次级反馈式开关电源

3 TEA1504的应用电路

由TEA1504构成的开关电源的主要组成部分有EMI滤波器、全桥整流器、滤波电容、开关变压器、功率MOSFET管及缓冲电路等。取样电阻将初级电流转变为电压加到ISENSE端（pin5）后，IC将根据该电压来设置开关电流的峰值电流。辅助线圈用于给Caux提供能量，从而提供给IC的内部电源，该线圈也是初级输出电压调节电路的一部分。电阻RREF可决定进入REF(pin8)的参考电流。电容CCTRL的取值很小，一般为0.2～2nF，通常接到CTRL端（pin9），因此可通过内部的采样保持电路来调节初级反馈，同时这一端也是次级光电耦合器的信号输入端。输入端OOB(pin14)可选择开/关模式或猝发待机模式。主输入电源连接到Vi(pin1)，可作为IC内部启动时的电流源，同时在启动和安全再启动模式下给电容Caux充电。

图3是一种采用开/关模式的反馈式开关电源。图中，开关S1的一端连接到OOB端（pin14），另一端连接到地或2.5V电压上。如果VOOB为低电平，则IC进入关断模式，VI脚消耗电流的典型值为350μA；如果VOOB为2.5V，则IC将安启动时序开始正常工作，此时Ivi=60μA。

图4是另一种使用3只电阻的开关模式开关电源，假定R3的阻值很高，那么，在IC启动时，如果VOOB=2.5V且R1>>R2,那么，由VOOB=VmainsR2/（R1+R2）可以得出：Vmains=VOOBR1/R2,这就确保了只有当主电压高于某一值（例如Vmains=80V）时，开关电源才能进行工作模式，从而使得流过R1的电流降低。IC的OOB脚（pin14）也可用于猝发待机模式。在IC待机状态下，开关电源进入一种特殊的低功耗状态，其功耗低于2W。实际上，图4也是一种利用猝发式待机和开/关模式的反馈式开关电源。图中，当微处理器（μP）将次级的开关S2、S3闭