Z-半导体敏感元件原理与应用 二

2．光电计数器 

表2、光敏Z-元件应用电路与输出信号波形阻态图 

   

  



图8是光电计数器电路。D1是缓冲级D2-1、D2-2是信号反相级，供计数级选择。R1、V1、V2、R2、R3构成了温度补偿电桥，其中，V2避光，V1受光，且V1、V2应选择反向灵敏度温漂DTR相近的Z-元件。R2用来调整在最大温漂状态下，无光照时D1保持输出为低电平。在被计数的物品遮挡一次光照时，D1输出一个负脉冲，D2-1、D2-2输出的计数脉冲可供选择。当工作温度变化时，因D1两个输入端等电位同步变化，不致产生误动作。 

光敏Z-元件还有更多的场合能够应用，这里不一一例举。 

七、 磁敏Z-元件及其技术参数 

1．磁敏Z-元件的结构、电路符号及命名方法 

磁敏Z-元件是一种经过特殊掺杂而制得的改性PN结。图9(a)是结构示意，图9(b)是电路符号，“+”表示正向使用时接电源“+”端，M表示对磁场敏感。 

表3、磁敏Z-元件分档代号与技术参数 

名称 
 符号 
 阈值电压分档代号 
 单位 
 测试条件(T=20°C) 
 
10 
 20 
 30 
 31 
 
阈值电压 
 Vth 
 <10 
 10-20 
 20-30 
 >30 
 V 
 RL:5~150kW 
 
阈值磁场 
 Bth 
 1 
 <300 
 mT 
 RL:5~150kW 
 
2 
 >300 
 
阈值电流 
 Ith 
 <1 
 £2 
 £3 
 >3 
 mA 
 RL:5kW 
 
磁场范围 
 B 
 1 
 (1~1.5)Bth 
 mT 
 RL:5~150kW 
 
2 
 
频率范围 
 f 
 1~100 
 kHz 
 RL:5kW 
 
输出幅值 
 VP.P 
 ³Vth/6 
 V 
 RL:5~150kW 
 
频率灵敏度 
 SF 
 >20 
 Hz/mT 
 RL:5~150kW 
 
电压灵敏度 
 ST 
 <-300 
 mV/100mT 
 E>Vth+RL.Ith 
 
 


磁敏Z-元件的命名方法有两种： 

国内命名法 



国际命名法 



2．磁敏Z-元件的伏安特性曲线 

磁敏Z-元件的伏安特性，应当在无磁场的情况下进行测量，图9(c)是伏安特性测量电路，正向伏安特性的测量电路与方法与温敏Z-元件的相同[6]。 

图9(d)的伏安特性中OP段为高阻区，记为M1，pf段为负阻区，记为M2，fm为低阻区，记为M3区。特性中的Vth叫做阈值电压，表示在25℃时两端电压的最大值。Ith叫做阈值电流，是Z-元件电压为Vth时的电流。Vf叫做导通电压，是M3区电压的最小值。If叫做导通电流，是对应Vf的电流，是低阻区电流最小值。反向特性无磁敏。 

3．磁敏Z-元件的分档代号与技术参数 

磁敏Z-元件的技术参数列于表3，磁敏Z-元件的分档代号有两个，一个是Vth，共分四档；另一个是阈值磁场，共分两档。磁敏Z-元件的技术参数符合QJ/HN003-1998。 

八、 磁敏Z-元件的磁敏特性 

磁敏Z-元件的正向伏安特性，可用图9(c)所示电路进行测量，与温敏Z-元件正向伏安特性测量电路与方法相同。［6］ 

磁敏Z-元件

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