TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导

>　　；器，pdr是存放编程数据的寄存器
　　
　　_WRITECOMMAND#8555H,#0AAH;周期1（解锁）
　　
　　_WRITECOMMAND#82AAH,#055H;周期2（解锁）
　　
　　_WRITECOMMAND#8555H,#0A0H;周期3（建立）
　　
　　LDpdr,A;周期4（编程）
　　
　　STLA,par;把pdr寄存器中数据放入par
　　
　　；寄存器的地址中
　　
　　RPT#12
　　
　　NOP
　　
　　_JUDGEpar,pdr;检测编程是否正确，见Flash
　　
　　；的操作检测
　　
　　.endm
　　
　　_WRITECOMMAND是实现一个周期编程的写命令宏，而_WRITEFlash是完成对指定地址编程的四个完整周期。
　　
　　表2擦除命令
　　
　　周期1(解锁)2（解锁）3(建立）4（解锁）5(解锁）6（片擦除）6（扇区擦除）地址0x5550x2AA0x5550x5550x2AA0x555SA(扇区地址)数据0xAA0x550x800xAA0x550x100x30
　　②擦除命令。该命令有片擦除和扇区擦除两种，都需要6个总线周期，前两个解锁周期，第三个建立周期，四、五两个解锁周期，最后是片擦除或扇区擦除周期，如表2所列。一旦执行编程或擦除命令后，就启动Flash的内部编程或擦除算法，自动完成编程或擦除操作。擦除程序如下：
　　
　　_ERASEFlash.macro;擦除宏
　　
　　_WRITECOMMAND#8555H,#0AAH;周期1（解锁）
　　
　　_WRITECOMMAND#82AAH,#055H;周期2（解锁）
　　
　　_WRITECOMMAND#8555H,#080H;周期3（建立）
　　
　　_WRITECOMMAND#8555H,#0AAH;周期4（解锁）
　　
　　_WRITECOMMAND#82AAH,#055H;周期5（解锁）
　　
　　_WRITECOMMAND#8555H,#010H;周期6（片擦除）
　　
　　STM#8555H,AR3
　　
　　LD#010H,A
　　
　　STLA,*AR5
　　
　　_JUDGE*AR3,*AR5;检测是擦除结束，见Flash的
　　
　　；操作检测
　　
　　.endm
　　
　　③读数据命令。上电或内部编程、擦除操作结束后就进入读数据状态，写入要读取的地址即可读出该地址的数据。
　　
　　④复位命令。它使存储器复位，进入读数据状态，向任何一个地址写入数据0xF0就能使Flash存储器复位。在进行编程、擦除之前，都应先复位，在编程或擦除等正常操作中出现错误时也要复位。复位程序如下：
　　
　　_RESETFlash.macro
　　
　　_WRITECOMMAND#8001H,#0F0H
　　
　　;向8001H写入0F0H使Flash复位
　　
　　RPT#12
　　
　　NOP
　　
　　.endm
　　
　　1.3Flash的操作检测
　　
　　Flas

《TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导(第2页)》