TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导

OFF=1
　　
　　LOOPF:RSBXXF;XF置低
　　
　　CALLDELAY;延时
　　
　　SSBXXF;XF置高
　　
　　CALLDELAY
　　
　　BLOOPF
　　
　　DELAY:PSHMAR6
　　
　　STM#0090H,AR6
　　
　　DELAY_LOOP:
　　
　　RPT#0FF0h
　　
　　NOP
　　
　　BANZDELAY_LOOP,*AR6-
　　
　　POPMAR6
　　
　　RET
　　
　　LOADEND;被烧写的程序结束
　　
　　.space20h
　　
　　.mmregs
　　
　　.labelFINDTABLE
　　
　　.word8000h
　　
　　.text
　　
　　ERASE_WRITE_Flash:;烧写程序开始
　　
　　STM#0FFA0H,PMST
　　
　　STM#07FFFH,SWWSR
　　
　　STM#0FFFFH,SWCR
　　
　　_RESETFlash;Flash复位
　　
　　_ERASEFlash;擦除Flash
　　
　　WRIFlashSTART:;开始编程Flash
　　
　　SSBXSXM
　　
　　RSBXOVM
　　
　　_RESETFLASH;Flash复位
　　
　　STM#8000H,AR0;Flash起始地址8000H
　　
　　STMBOOTTABLE,AR5;被烧写的源地址（自举
　　
　　；表首地址）
　　
　　STM#(LOADEND-BOOTTABLE),AR4
　　
　　;写入011E个字
　　
　　WRI_RPT
　　
　　_WRITEFlash*AR0,*AR5;调入编程宏
　　
　　LD*AR0+,A
　　
　　LD*AR5+,A;完成AR0和AR5地址自动加1
　　
　　BANZWRI_RPT,*AR4-
　　
　　STM#0FFFFH,AR0;AR0指向数据空间的FFFF
　　
　　；地址
　　
　　STMFINDTABLE,AR5
　　
　　_WRITEFlash*AR0,*AR5;向数据空间的FFFF
　　
　　；地址写入自举表的首地址8000H
　　
　　ENDD:NOP
　　
　　BENDD
　　
　　.end
　　
　　被烧写的主程序是从MAIN_START开始，一直到LOADEND。程序的主要功能是不断改变XF引脚的状态。LOADSTART是中断向量文件（vector.asm）的开始，在中断复位（RESET）处放入一条跳转到MAIN_START指令（BDMAIN_START）。ERASE_WRITE_FLASH是烧写程序的开始，只要程序指针（PC）指向ERASE_WRITE_FLASH，开始运行就可以完成对Flash的烧写操作。从自举表首地址BOOTTABLE（0F8H）到LOADEND（0216H）存放的数据就是要写入Flash的内

《TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导(第5页)》