TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导
容,从LOADSTART到LOADEND的数据是DSP自举程序从Flash搬运到片内RAM的程序,具体如下:
00F8H:BOOTTABLE;自举表开始
0100H:LOADSTART;中断向量表首地址
0100H:RESET:BDMAIN_START
...;中断向量表的内容
0178H:RESERVED
0200H:MAIN_START
...;主程序
0216H:LOADEND
被烧写的程序只需一个段,根据以上信息就可以完成自举表的内容,如表3所列。
表1自举表
数据区地址内容含义8000H10AA16位自举标记8001H7FFFSWWSR8002HF000BSCR8003H0000程序入口XPC8004H0200程序入口地址8005H0123程序段长度8006H0000存放目标XPC8007H0100存放目标地址8008HF273程序代码18009H0200程序代码2………………811DHFC00程序代码811EH0000结束………………FFFFH8000自举表存放首地址
整个并行自举引导过程为:C5410上电复位后,判断MP/MC=0处于微计算机工作方式,从片内ROM的0FF80H处执行中断向量表的分支转移指令(BD0F800H),使程序跳转至0F800H处执行自举引导程序。自举引导程序完成初始化后,读取数据空间的0FFFFH地址的内容,找到自举表首地址8000H,从8000H处开始读取内容。首先,是16位自举标记(10AA)。然后分别是寄存器SWWSR及BSCR的内容,程序入口地址、代码段长度、存放代码段的目标地址等信息。最后,根据这些信息把Flash的8008H到811EH的程序搬运到片内RAM的100H开始的地址中,跳转至片内RAM100H、即PC为100H、XPC为0,开始执行用户程序,完成用户程序的并行自举过程。
结语
把程序烧写入Flash后,复位C5410,使其处于微计算机工作方式;使用示波器测试XF引脚,观察程序运行正确与否。通过上述方法可完成C5410对Am29LV200BFlash的烧写,很好地实现了C5410上电后的用户程序自举引导功能。
《TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导(第6页)》
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00F8H:BOOTTABLE;自举表开始
0100H:LOADSTART;中断向量表首地址
0100H:RESET:BDMAIN_START
...;中断向量表的内容
0178H:RESERVED
0200H:MAIN_START
...;主程序
0216H:LOADEND
被烧写的程序只需一个段,根据以上信息就可以完成自举表的内容,如表3所列。
表1自举表
数据区地址内容含义8000H10AA16位自举标记8001H7FFFSWWSR8002HF000BSCR8003H0000程序入口XPC8004H0200程序入口地址8005H0123程序段长度8006H0000存放目标XPC8007H0100存放目标地址8008HF273程序代码18009H0200程序代码2………………811DHFC00程序代码811EH0000结束………………FFFFH8000自举表存放首地址
整个并行自举引导过程为:C5410上电复位后,判断MP/MC=0处于微计算机工作方式,从片内ROM的0FF80H处执行中断向量表的分支转移指令(BD0F800H),使程序跳转至0F800H处执行自举引导程序。自举引导程序完成初始化后,读取数据空间的0FFFFH地址的内容,找到自举表首地址8000H,从8000H处开始读取内容。首先,是16位自举标记(10AA)。然后分别是寄存器SWWSR及BSCR的内容,程序入口地址、代码段长度、存放代码段的目标地址等信息。最后,根据这些信息把Flash的8008H到811EH的程序搬运到片内RAM的100H开始的地址中,跳转至片内RAM100H、即PC为100H、XPC为0,开始执行用户程序,完成用户程序的并行自举过程。
结语
把程序烧写入Flash后,复位C5410,使其处于微计算机工作方式;使用示波器测试XF引脚,观察程序运行正确与否。通过上述方法可完成C5410对Am29LV200BFlash的烧写,很好地实现了C5410上电后的用户程序自举引导功能。
《TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导(第6页)》