TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导

　　摘要：介绍在TMS320C5410环境下对Am29LV200BFlash存储器进行程序烧写，并且实现了TMS320C5410上电后用户程序并行自举引导。
　　关键词：Am29LV200BFlashDSP并行自举引导自举表
　　
　　Flash是一种可在线进行电擦写，掉电后信息不丢失的存储器。它具有低功耗、大容量、擦写速度快等特点，并且内部嵌入算法完成对芯片的操作，因而在数字信号处理系统中得到了广泛的应用。本文通过一个完整的实例，介绍Am29LV200BFlash存储器的烧写方法，实现TMS320C5410（以下简称C5410）上电后用户程序的并行自举引导。
　　
　　1Am29LV200BFlash存储器
　　
　　1.1Flash存储器简介
　　
　　Am29LV200B是AMD公司生产的Flash存储器，其主要特点有：3V单电源供电，可使内部产生高电压进行编程和擦除操作；支持JEDEC单电源Flash存储器标准；只需向其命令寄存器写入标准的微处理器指令，具体编程、擦除操作由内部嵌入的算法实现，并且可以通过查询特定的引脚或数据线监控操作是否完成；可以对任一扇区进行读、写或擦除操作，而不影响其它部分的数据。本文中128K×16位Am29LV200BFlash映射为C5410的片外数据存储空间，地址为：0x8000~0xFFFF，数据总线16位，用于16位方式的并行引导装载。128K的FlashROM用32K地址分四页进行访问，上电加载程序时使用FlashROM的第3页。
　　
　　1.2Flash存储器的操作命令
　　
　　向Flash存储器的特定寄存器写入地址和数据命令，就可对Flash存储器编程，但要按一定的顺序操作，否则就会导致Flash存储器复位。由于编程指令不能使"0"写为"1"，只能使"1"变为"0"，而擦除命令可使"0"变为"1"，所以正确顺序是先擦除，后编程。下面就介绍几个常用的操作命令：编程命令、擦除命令、读数据命令、复位命令。
　　
　　①编程命令。该命令向Flash的指定地址中写入数据，需要四个总线周期，前两个是解锁周期，第三个是建立编程命令，最后一个周期完成向编程地址中写入编程数据，如表1所列。
　　
　　表1编程命令
　　
　　周期1(解锁)2（解锁）3(建立）4（编程）地址0x5550x2AA0x555pa(编程地址)数据0xAA0x550xA0pa(编程数据)
　　由于向每个编程地址写入数据都需要四个周期，所以在循环写Flash时使用宏比较简单。FlashROM的首地址为0x8000，故偏移地址0x555对应物理地址就为0x8555。编程程序如下：
　　
　　_WRITECOMMAND.macropa,pd;单一周期编程的写命
　　
　　；令宏，pa是编程地址，pd是编程数据
　　
　　PSHMAR1
　　
　　STMpa,AR1;AR1指向编程地址
　　
　　LDpd,A
　　
　　STLA,*AR1;把编程数据放入AR1的编程地址中
　　
　　RPT#12
　　
　　NOP
　　
　　POPMAR1
　　
　　.endm
　　
　　_WRITEFlash.macropar,pdr;编程宏,par是编程地址寄存
　　 《TMS320C5410烧写Flash实现并行自举引导》