通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程

接口进行初始化，CE1空间定义为8位读写模式。
　　
　　初始化函数如下：
　　
　　voidc6x11_dsk_init(){/*DSP和EMIF初始化*/
　　
　　CSR=0x100;/*禁止所有中断*/
　　
　　IER=1；/*禁止除NMI外的所有中断*/
　　
　　ICR=0xffff;/*清除所有未完成的中断*/
　　
　　*（unsignedvolatileint*）EMIF_GCR=0x3300
　　
　　
　　
　　;
　　
　　*(unsignedvolatileint*)EMIF_CE0=0x30;
　　
　　*(unsignedvolatileint*)EMIF_CE1=0xffffff03;
　　
　　*(unsignedvolatileint*)EMIF_SDCTRL=0x07227000;
　　
　　*(unsignedvolatileint*)EMIF_SDRP=0x61a;
　　
　　*(unsignedvolatileint*)EMIF_SDEXT=0x54529;
　　
　　}
　　
　　2Flash存储器的编程
　　
　　对Flash存储器进行字节编程之前，需要对它进行3个周期的编程指令操作，总线时序如图2。
　　
　　从图2可知，各总线周期的操作如下：
　　
　　第一总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH；
　　
　　第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；
　　
　　第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据A0H；
　　
　　第四总线周期——向地址的存储单元写入编程数据；
　　
　　……
　　
　　在TMS320C6711中，用C语言完成上述操作为：
　　
　　/*---------------------------------------------------------------------*/
　　
　　/*入口参数：pattern[]：数组，用于存储编程数据*/
　　
　　*/start_address:所要编程的起始地址指针*/
　　
　　/*page_size：所要编程的Flash的页面尺寸*/
　　
　　/*出口参数：无*/
　　
　　/*---------------------------------------------------------------------*/
　　
　　voidflash_page_prog(unsignedcharpattern[],unsignedvolatilechar*start_address,intpage_size){
　　
　　volatileinti;
　　
　　unsignedvolatilechar*flash_ptr=start_address;
　　
　　*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=FLASH_KEY1;
　　
　　*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=FLASH_KEY2;
　　
　　*(u

《通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程(第2页)》