通过JTAG口对DSP外部Flash存储器的在线编程

　　摘要：采用一种简单可行的方法，在TI公司TMS320C6XDSP集成开发环境CCS2.0下，通过JTAG口实现对DSP外部Flash可擦写存储器的在线编程；将用户数据文件烧写到DSP的外部Flash中，并在TMS320C6711DSP板上多次测试通过。
　　关键词：嵌入式系统DSPFlashJTAG在线编程CCS2.0
　　
　　引言
　　
　　在采用TI数字信号处理器（DSP）的嵌放式硬件系统开发完成，软件也有CCS2.0集成开发环境下仿真测试通过后，怎样将编译、链接后生成的可执行文件（.Out），经过转换后的十六进制文件（.Hex）写入硬件系统的Flash存储器中，让系统脱机运行，这是许多DSP开发人员及初学者遇到并需要解决的问题。
　　
　　从JTAG接口对DSP外部Flash的编程方法不只一种。本文以TMS320C6711-150DSK板为例，介绍“在线仿真状态下”对Flash的编程。
　　
　　1Flash存储器的擦除
　　
　　Flash编程之前，应对Flash进行擦除，使其每个数据位都恢复为1状态，即全FF状态。对Flash的擦除操作需要6个总线周期，总线时序如图1。
　　
　　从图1可知，各总线周期的操作为：
　　
　　第一总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；
　　
　　第二总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；
　　
　　第三总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据80H；
　　
　　第四总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据AAH；
　　
　　第五总线周期——向2AAAH地址的存储单元写入数据55H；
　　
　　第六总线周期——向5555H地址的存储单元写入数据10H。
　　
　　完成上述操作后，Flash存储器被完全擦除，内部数据恢复为初始状态，全为FFH。
　　
　　在TMS320C6711中，用C语言完成上述操作为：
　　
　　voiderase_flash()
　　
　　{
　　
　　*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;
　　
　　*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055;
　　
　　*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0080;
　　
　　*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x00aa;
　　
　　*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR2=0x0055；
　　
　　*(unsignedvolatilechar*)FLASH_ADR1=0x0010；
　　
　　}
　　
　　在TMS320C6711系统中，Flash所在地址段为CE1空间，其开始地址为0x90000000。这样，其中的FLASH_ADR1、FLASH_ADR2在头文件中被定义为：
　　
　　#defineFLASH_ADR10x90005555
　　
　　#defineFLASH_ADR20x90002AAA
　　
　　需要说明的是，在对Flash进行擦除时，应对DSP及EMIF外存储器

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