SL11R单片机外部存储器扩展

15ns SRAM 12ns SRAM PCLK=32MHz
PCLK=48MHz 2
3 1
2 0
0 0
0

3.2 动态存储器的速度

EDO DRAM的读写速度有两种情况：一种是随机读写；另一种是快速页面读写。SL11R随机读取DRAM的时序见图6，参数见表4。

表4 SL11R读DRAM参数

PCLK tRC 1RAS tCAS tRAC tOAC 32MHz 150ns 80ns 20ns 80ns 20ns 48MHz 100ns 53ns 13ns 53ns 13ns

影响DRAM速度的参数较多，但选择DRAM主要是根据tRAS。一般选择50ns或60ns的DRAM就可以满足要求。

SL11R随机读写DRAM的周期时间tRC在PCLK为32MHz时为150ns；PCLK为48MHz时为100ns。经测试，DMA方式下，DRAM的读写速度可以达到6MHz，满足常用的数据采集要求。

    DRAM的快速页面读写是指在DRAM的同一个页面下，即行地址相同时，DRAM保持行地址不变，只寻址列地址，这样可以减少发送行地址的时间。使用快速页面读写必须十分小心，因为在数据采集等场合，写数据时页面发生变化会影响DRAM的读写时间，很可能会丢失数据。

SL11R扩展外部存储器的能力较强，可以方便地扩展I2C接口的串行存储器、各种速度的静态存储器以及大容量的DRAM。配合SL11R的USB接口和快速的处理能力，可以满足各种应用的需要。

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